P-N结在正向偏置时，势垒区变窄；在反向偏置时，势垒区变宽，这个过程相当于一个平板电容器的充放电过程，因此，P-N结也具有电容特性。而且，这个电容数值的大小，是随着偏置电压大小变化而变化。变容二极管就是根据这个原理制成的。

3P-N结的击穿特性

1）击穿现象：

当P-N结上的反向偏压加大到一定数值时，就会出现反向电流急剧增大的现象，这就是P-N结的击穿特性。称，出现反向电流急剧增大时所加的反向电压——为，反向击穿电压。而且，击穿电压的大小决定于P-N结中杂质浓度较低一方的电阻率。电阻率越高，则击穿电压就越高；反之，电阻率越低，则击穿电压就越小。

2）产生P-N结击穿的机理——雪崩倍增。

反向电压很大时——势垒区电场很强——从P区流向N区的电子

和势垒区原有的本征激发的电子，在强电场下高速运动（具有高能量）——与硅原子碰撞——撞出电子和空穴——这种碰撞不断延续倍增——象雪崩一样，产生大量的电子和空穴——并在强电场下定向流动——形成很大的电流。

3）P-N结反向击穿特性的图示：（图7）

图7P-N结的反向击穿特性

1-3二极管

1-3-1 二极管的基本构成

1 由一个P-N结——电极引出（引线孔，正面、背面金属化）——

后道组装——构成一个二极管。

• • • • • • 二极管的电学符号：

图8二极管的电学符号

1-3-2二极管的特性曲线（伏安特性）

图9二极管的特性曲线

1-3-3二极管的分类

1 整流二极管——利用P-N结的单向导电性。

2 稳压二极管——利用P-N结的击穿特性。

3 变容二极管——利用P-N结的电容特性。

4 开关二极管

5 微波二极
 

1-4晶体管（仅讲双极型）

1-4-1晶体管的构成

1晶体管的基本构成

1）结构框架——由两个P-N结，三个导电区（发射区、基区、

集电区），三个电极（发射极、基极、集电极）构成。

2）两种结构类型——NPN和PNP

3）两种结构的示意图（图10）

图10aNPN结构图10bPNP结构

2 实际的制作方法

1）用氧化、光刻、硼扩散、磷扩散、CVD、蒸发等工艺制作芯片。

2）采用装片、烧结、键合、包封等工艺把芯片组装成管子。

3 晶体管的电学符号（图11）

图11a NPN 型图11bPNP型

4 晶体管的纵向剖面结构（图12）

图12aNPN纵向结构图12bPNP纵向结构

1-4-2晶体管的放大原理