 MOSFET可用作开关或放大器。无论何种应用，都存在导通损耗。让我们探讨一下导通损耗的含义以及如何计算MOSFET导通损耗。在非开关应用中工作时，导通损耗是MOSFET功率耗散的主要因素。即使在开关应用中，导通损耗仍然非常大，必须仔细考虑才能实现稳健的设计。什么是导通损耗 在MOSFET电路中，导通损耗是指由漏极电流和导通电阻引起的功率损耗或功率耗散。它是MOSFET处于导通状态时的功率损耗。基本上，当VGS系列达到阈值要求，MOSFET导通，导通损耗生效。 如何使用数学方法计算MOSFET导通损耗 计算MOSFET导通损耗所涉及的参数是漏极电流（ID）和漏极到源极导通电阻（R(DSon)).导通损耗的方程式为 导通损耗=ID2*R(DSon) 式中： ID–漏极电流 R(DSon)–漏极至源极导通电阻 漏极电流是流向MOSFET漏极的电流。有两种方法可以计算漏极电流。首先是考虑最坏的情况。第二种是瞄准典型值。最坏情况下的漏极电流很重要，这样MOSFET就不会过应力。另一方面，典型值更现实地用于计算电路的效率。最差的漏极电流将产生最差的导通损耗，而典型的漏极电流将产生典型的导通损耗。 最坏漏极电流 要说明如何推导出最坏情况下的漏极电流或最大漏极电流，请参阅下面的简单MOSFET电路。为了获得最大的漏极电流，忽略MOSFETM1在导通状态下的压降。考虑VDD的最大值。VDD是一种电源，所有电源都有电压变化。例如，电压变化为5%，这意味着VCC可能会增加到比其典型值高5%的水平。  典型值是额定值或通常值或设计值。 然后，考虑Rdrain的最小值。Rdrain是一个电阻，所有电阻都有公差。例如，公差为5%，这意味着电阻值可能比典型值高5%。 从数学上讲，最差的漏极电流由以下公式给出 IDmax=VDDmax/Rdrainmin 或 IDmax=VDD*（1+VDDtol）/[Rdrain*（1–Rdraintol）] 考虑到VDD=10V（+/-5%）和Rdrain=100Ω（+/5%）的给定值，最大漏极电流为 IDmax=10V*（1+0.05）/[100Ω*（1–0.05）]=10.5V/95Ω= 0.111A 典型值漏极电流 与最坏情况方法不同，典型的漏极电流将仅考虑典型值。它不会关心VDD和Rdrain公差。但是，它将考虑将典型的MOSFET漏极转换为源极导通电阻（R(DSon)). 典型的漏极电流由以下公式给出 IDtyp=VDDtyp/[Rdraintyp+R(DSon)typ] 假设R(DSon)的典型值为0.5Ω，则典型漏极电流为 IDtyp=VDDtyp/[Rdraintyp+R(DSon)typ]=10V/[100Ω+0.5Ω]= 0.0995A |
