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失效分析从何入手?

时间:2023-09-01 17:52来源:半导体封装工程师之家 作者:ictest8_edit 点击:

 

失效分析从何入?
 
 
 
失效分析是为了查找失效原因,因为分析的某些步骤是破坏性的,不能重现,所以失效分析必须有计划有步骤地进行。为了防止在失效分析过程中把真正的失效因素或迹象遗漏掉,或引入新的失效因素,失效分析不仅需要十分小心地操作,而且还必须周密而科学地计划与安排,使每一步都能取得必要的信息。
 
失效分析程序的基本原则

先调查、了解与失效有关的情况(器件类型、应用时应力条件、失效现象等),后分析失效器件。

先做外部分析,后做内部(解剖)分析。

先做非破坏性分析,后做破坏性分析。

一、开封前
 
 
 
1. 对失效器件本身(线路、结构、版图、工艺、性能、材料等)应作全面了解。
2. 失效情况的调查

失效器件类型、外壳、封装类型、生产厂、生产日期和批号;

使用单位,使用器件的设备名称、台号、失效部位,累计运行时间,器件在设备中的功能;
 
失效时的环境(调试、运行、高温、振动、冲击、验收成现场使用),失效时间,失效现象(开路、短路、无功能、参数变化、判别标准等),失效判断人。

3. 复测电特性,验证失效情况。所得结果是否与所报告的失效情况相符;不符时要考虑是否器件特性改变;是时好时坏的问题,还是原来数据有误;
4. 初步电测试。又分功能测试和非功能测试,前者对全部电参数进行测试,后者为脚与脚之间的测试。并与同类正常器件比较由差别估计失效的部位与原因。
5. 外观镜检。目检或在至少放大30倍的显微镜下进行。内容包括外引线、电镀层、锡焊等,有无机械损伤,腐蚀,标记完整性如何等。对任何异常情况,应进行拍照记录。
6. 对管壳进行密封性检查,是否存在漏气。
7. 必要时进行X射线照相,以检查器件结构是否正常,有无多余物存在,也可进行管壳内水汽含量分析,判别失效是否与水汽有关。
8. 失效模式的分类与统计。
 
二、开封后
 
1. 内部镜检:
 
 
楔形键合第一点尾部的开裂
 
用立体显微镜或高倍显微镜检查芯片,确认内部材料、设计、结构、工艺上是否有误用、缺陷、或异常情况,是否有烧毁、腐蚀迹象,键合丝的形状、尺寸、位置是否正确,芯片有无裂纹、外来异物,颜色是否正常,铝条是否有电迁移、发黑、长毛、出现象紫斑等现象。特别要观察失效部位的形状、尺寸、大小、颜色、结构等。必要时要进行拍照记录。
 
2. 电学测试:
 
 
 
与开封前测试结果加以比较,是否有改变,管壳内是否有水汽的影响。进一步可将表面氧化层、铝条去掉,用机械探针扎在有关节点上进行静态(动态)测试、判断被隔离部分是否性能正常,分析失效原因。
 
各涂层或薄膜可用不同方法去除
 
芯片表面涂层可用化学法腐蚀去除。 
 
钝化层可用氟等离子体刻蚀,对SiO2及PSG层也可用稀氢氟酸(加少量氟化铵)腐蚀;Si3N4用氟化铵:醋酸:去离子水=1:1:1(体积)混合液腐蚀;聚酰亚铵用发烟硝酸腐蚀;对多晶硅用1mlHF十26ml HNO3十33m1CH2COOH混合液腐蚀。

铝层用激光束切断,或用稀硫酸(或盐酸)溶去。

 
3. 断面观察
 
 
Al-Au 金属间化合物形貌
 
对失效可疑部位如PN结、芯片断面、管壳封接处等,可取下相关部分浇入石腊或塑料中,制成磨片。对磨片经过研磨、抛光、腐蚀及染色等步骤,将观察目标暴露出来,在显微镜下观察、拍照。
 
4. 必要时进行微区表面分析。
 
三、军标GJB-548A
 
我国军标GJB-548A中方法5003中具体规定了失效分析程序,可以参考。
 
 
 
 
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