在浪涌电压的作用下，TVS两极间的电压由额定反向关断电压VRWM上升到击穿电压VBR，而被击穿。随着击穿电流的出现，流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP，同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。其后，随着脉冲电流按指数衰减，TVS两极间的电压也不断下降，最后恢复到初态，这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率，保护电子元器件的过程。
        当TVS两极受到反向高能量冲击时，它能以10~12uS级的速度，将其两极间的阻抗由高变低，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电位箝位于预定值，有效地保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。TVS具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压容易控制、体积小等优点，目前已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。
 

        知道这一主要作用后，我们来看下它的主要参数，详见下图：

对以上参数简单解释如下：
1)最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VRWM。
     VRWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加于TVS的两极间时它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
2)最小击穿电压VBR和击穿电流IR。
    VBR是TVS最小的击穿电压。在25℃时，低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时，加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把VBR分为5％和10％两种。对于5％的VBR来说，VWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。
3)最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。
    当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时，在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子，一般在1.2~1.4之间。
4)电容量C。
    电容量C是由TVS雪崩结截面决定的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比，C太大将使信号衰减。因此，C是数据接口电路选用TVS的重要参数。TVS的结电容是根据制造工艺的不同大体分为两种内型，高结电容型，一般在几百~几千pF,和低电容型，一般几个pF。对于电源线可以不考虑，对于在数据，信号电路上应用时应选择低容值的TVS来避免信号波形畸变或引入干扰。所以像USB2.0或者其他高速接口，所用到的TVS必须是低电容的TVS。有些通讯接口要求必须低于1pf，否则将会严重影响信号质量，所以这些微小电容的测试也将直接关乎产品质量，在量产测试中也是必测项。