欢迎光临专业集成电路测试网~~欢迎加入IC测试QQ群:111938408

专业集成电路测试网-芯片测试技术-ic test

当前位置: 网站主页 > 测试设备 > 测试机台 >

高速接口TVS的微小结电容量产测试解决方案

时间:2017-08-23 14:53来源:www.ictest8.com 作者:ictest8 点击:
        在探讨TVS的结电容测试之前,我们先来简单了解一下TVS, TVS作为一种非常常见的分立器件,它的最主要的作用就是为了防止线路上的浪涌电压了,下图可以很清楚的表达这一作用:
        在浪涌电压的作用下,TVS两极间的电压由额定反向关断电压VRWM上升到击穿电压VBR,而被击穿。随着击穿电流的出现,流过TVS的电流将达到峰值脉冲电流IPP,同时在其两端的电压被箝位到预定的最大箝位电压VC以下。其后,随着脉冲电流按指数衰减,TVS两极间的电压也不断下降,最后恢复到初态,这就是TVS抑制可能出现的浪涌脉冲功率,保护电子元器件的过程。
        当TVS两极受到反向高能量冲击时,它能以10~12uS级的速度,将其两极间的阻抗由高变低,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电位箝位于预定值,有效地保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。TVS具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压容易控制、体积小等优点,目前已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。
 
        知道这一主要作用后,我们来看下它的主要参数,详见下图:

对以上参数简单解释如下:
1)最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VRWM
     VRWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加于TVS的两极间时它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。
2)最小击穿电压VBR和击穿电流IR。
    VBR是TVS最小的击穿电压。在25℃时,低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说,VWM=0.85VBR;对于10%的VBR来说,VWM=0.81VBR。
3)最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。
    当持续时间为20mS的脉冲峰值电流IPP流过TVS时,在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映了TVS的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。
4)电容量C。
    电容量C是由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C太大将使信号衰减。因此,C是数据接口电路选用TVS的重要参数。TVS的结电容是根据制造工艺的不同大体分为两种内型,高结电容型,一般在几百~几千pF,和低电容型,一般几个pF。对于电源线可以不考虑,对于在数据,信号电路上应用时应选择低容值的TVS来避免信号波形畸变或引入干扰。所以像USB2.0或者其他高速接口,所用到的TVS必须是低电容的TVS。有些通讯接口要求必须低于1pf,否则将会严重影响信号质量,所以这些微小电容的测试也将直接关乎产品质量,在量产测试中也是必测项。
 
        对于前面的直流参数,比较容易测试,我们在此不再赘述,接下来我们来探讨一下结电容的测试,尤其是低于1pf的结电容的测试方案。目前测试电容的原理都是比较标准的方法,主要是采用在被测器件两端施加高频交流信号(一般为1MHZ),通过采样经过被测器件的电压,电流来计算其电容,测试电路图如下:


        测试原理虽然比较简单,但精确、快速的测出这么小的电容值,确实需要很多技术及经验的积累,目前市面上能够测试10pf以下的小电容的量产测试机非常少见,其中安捷伦的方案价格昂贵,效率偏慢,不适合量产测试。只有个别不差钱的大公司会买来用做实验室评估测试,本文为大家推荐的是一款:即适用于量产测试也非常适合实验室测试的国产电容测试机-----T122A,下图为T122A与量产测试handler联机的实物图,从图中可见,T122A的测试电路和被测器件距离非常近,这样可以大大消除了各种引线带来的干扰,能够非常准确、快速的测试出1pf以下的微小电容,其精度可达10fF,分辨率可高达1fF,同时可以实现施加偏置电压,频率也可以从0.1MHZ~~3MHZ可调,使用方便,测试效率也非常高,用下来整体效果良好,作为此测试机的使用者,强烈推荐!

        如下为T122与handler的联机图,可以看出距离非常靠近被测TVS,可以排除各种干扰,从而达到精确,快速的测试出微小的电容值。


          放大的图如下:


               T122主机图,上图的测试机处理好的数据传输到主机端,显示结果及分BIN信息等


           T122主要技术参数如下:


        目前国内的半导体领域发展迅猛,国家也投入了巨大的人力、物力来促进,扶持半导体产业的发展,在半导体测试这块,国内更是一路高歌猛进,目前除了高速数字类,RF类测试机国内还在研发阶段,其他如模拟,混合信号,分立器件测试机在国内已经处于领先地位,T122是由20多年经验积累的宏邦电子自主研发的一款微小电容测试机,该设备抓住了市场痛点,完美解决了TVS,mems等需要测试10pf以下的小电容的强烈需求,目前此款机器已热销于各大封测厂,得到客户一致好评,如对此电容测试机感兴趣,可电话或微信咨询:1381654535 孙鹏程,Email:sunpengcheng@hongbangtech.com
顶一下
(1)
100%
踩一下
(0)
0%
------分隔线----------------------------
发表评论
请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
评价:
用户名: 验证码: 点击我更换图片