磨光用砂纸
 

将SiC颗粒通过粘合剂粘附在耐水的纸质材料表面，常用目数来表述砂纸的颗粒度，目数越高，砂纸越细，如180目的砂纸的平均颗粒度为78um, 800目的砂纸平均颗粒度为12um。在样品磨光时，通常先用粗砂纸，如80或180目，再用细砂纸，如1200或2000目.

抛光剂(抛光磨料)，主要成分为硬质颗粒，如金刚石，氧化铝等。

磨料颗粒度从0.01微米到数微米不等，适应不同材料和组织的抛光。

正常的抛光过程：先用粗颗粒度的抛光剂进行粗抛光，再用细颗粒度的抛光剂进行精抛光。

预磨机

自动抛光机

微型超声波清洗机，用于试样抛光后将残留在缝隙内的磨料或杂质清洗干净。

但是对于比较容易产生分层的芯片，最好不要使用超声波清洗，以免破换试样。

D.FIB切割

FIB(Focused Ion Beam)聚焦离子束，在IC领域有着广泛的应用，可用来做显微切割、显微成像(聚焦离子束显微镜)、芯片线路修改等。

离子源是聚焦离子束系统的核心，尖端直径约5-10um的钨针上沾附上液态金属镓(Ga),在外加强电场的作用下，液态镓形成一个极小的尖端(泰勒维)，表面的金属离子场蒸发的方式逸出，产生离子束流。将此离子束通过电磁透镜进行聚焦，聚焦到样品表面，离子束轰击样品表面，产生二次电子和二次离子，可被收集成像；也可利用物理碰撞实现切割。

FIB切割的示意图如下所示，通过FIB，可以选择样品的切割位置、范围以及切割深度。

目前新型的FIB显微镜，集FIB与SEM一体，能够产生Dual Beam(离子束+电子束)，离子束切割的同时进行电子束成像，再配以能谱仪或二次离子质谱仪做元素分析。

除了制样简单精确外，FIB相对于传统的Polish，能够真实还原样品的截面形貌。

EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具, 提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外光）, 由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。

EMMI侦测对应故障种类涵盖ESD, Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。

EMMI对漏电流的侦测可达微安级别。而LC（液晶热点侦测Liquid Crystal）对漏电流的捕捉仅达毫安级别。

用激光束在器件表面扫描，激光束的部分能量转化为热量。如果互连线中存在缺陷或者空洞，这些区域附近的热量传导不同于其他的完整区域，将引起局部温度变化，从而引起电阻值改变ΔR，如果对互连线施加恒定电压，则表现为电流变化ΔI= (ΔR/V)I2,通过此关系，将热引起的电阻变化和电流变化联系起来。将电流变化的大小与所成像的像素亮度对应，像素的位置和电流发生变化时激光扫描到的位置相对应。这样就可以产生OBIRCH像来定位缺陷。

OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析. 利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电, 是发光显微技术的有力补充。