[芯片相关原理] PN结与二极管 日期：2022-12-13 14:36:22 点击：339 好评：0
如果将本征半导体进行掺杂处理，我们可以得到P型半导体和N型半导体。如图1-1，P型半导体以空穴作为多数载流子，N型半导体以电子作为多数载流子。如果单纯的对掺杂半导体进行通电，我们...
[芯片相关原理] 二极管特性和分类 日期：2022-12-13 13:16:19 点击：479 好评：0
在半导体器件中，PN结是最基本的半导体结构。如果将PN半导体封装起来，就形成了二极管器件。简单来说二极管就是一个具有单相导电性的PN结，但是在实际工程应用中，不同应用场景的需...
[芯片相关原理] 运算放大器基本原理与参数解读 日期：2022-12-12 13:31:40 点击：469 好评：2
运算放大器的出现，大大降低了硬件模拟前端电路设计的难度。但是对于高精度的模拟信号处理电路中，用好运放也不是一件容易的事，更不用说压着最低的物料成本设计出符合系统要求的运放...
[芯片相关原理] DC-DC升压电路，DC-DC升压模块原理 日期：2022-12-08 15:29:35 点击：434 好评：2
一、什么是 DC-DC 转换器？ DC-DC 转换器是一种电力电子电路，可有效地将直流电从一个电压转换为另一个电压。 DC-DC 转换器在现代电子产品中扮演着不可或缺的角色。这是因为与线性稳压器相...
[测试基础理论] LDO基础知识 日期：2022-12-07 14:21:59 点击：799 好评：0
1、当输入电压与目标输出电压压差不满足Vdropout，会发生什么？ 2、决定Vdropout电压大小的因素是什么？ 3、芯片选定后，Vdropout电压就是固定的吗？与电压，电流是否有关？ 4、温度，直流电...
[测试理论] NAND FLASH简介 日期：2022-09-27 15:14:25 点击：619 好评：0
Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性...
[测试理论] FLASH闪存产品概述 日期：2022-09-27 14:57:40 点击：470 好评：0
随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了。这里我们专门写了这篇文章： 1、把常用的存储产品做了分类...
[测试理论] 线性电源LDO基础知识：电源抑制比 日期：2022-07-30 17:18:15 点击：559 好评：4
PSRR是一个常见的技术参数，在许多LDO datasheet里都能看到，他规定了在特定频率的交流信号从LDO输入到输出的衰减程度...
[测试理论] 功率MOSFET基础详解 日期：2022-07-23 12:29:57 点击：1445 好评：10
功率MOSFET作为一个应用及其广泛的基础元器件，我们测试工程师有必要深入了解一下，如下为power MOS的详细介绍，敬请参考 副标题 副标题 副标题 副标题...
[测试理论] Boost升压电路原理及设计详解 日期：2022-07-16 19:53:05 点击：696 好评：6
Boost电路是一种开关直流升压电路，它能够使输出电压高于输入电压。在电子电路设计当中算是一种较为常见的电路设计方式。本文将给大家介绍boost基本原理、电路参数设计。 首先我...
