SOI (Silicon-on-Insulator) 技术：

传统CMOS技术的缺陷在于：衬底的厚度会影响片上的寄生电容，间接导致芯片的性能下降。 SOI技术主要是将 源极/漏极 和 硅片衬底分开，以达到(部分)消除寄生电容的目的。

传统：

SOI:

制作方法主要有以下几种(主要在于制作硅-二氧化硅-硅的结构，之后的步骤跟传统工艺基本一致。)

1. 高温氧化退火:

在硅表面离子注入一层氧离子层

等氧离子渗入硅层, 形成富氧层

高温退火

成型

或者是

2. Wafer Bonding(用两块! )不是要做夹心饼干一样的结构吗? 爷不差钱! 来两块!

对硅2进行表面氧化

对硅2进行氢离子注入对硅2进行氢离子注入

翻面

将氢离子层处理成气泡层将氢离子层处理成气泡层

切割掉多余部分切割掉多余部分

成型 + 再利用

光刻

离子注入离子注入

微观图长这样:

再次光刻+蚀刻

撤去保护, 中间那个就是Fin撤去保护, 中间那个就是Fin

门部位的多晶硅/高K介质生长门部位的多晶硅/高K介质生长

门部位的氧化层生长门部位的氧化层生长

长成这样

源极 漏极制作(光刻+ 离子注入)

初层金属/多晶硅贴片

蚀刻+成型

物理气相积淀长出表面金属层(因为是三维结构, 所有连线要在上部连出)

机械打磨(对! 不打磨会导致金属层厚度不一致)

成型! 成型!