假设chip中，用到的metal为铝材料，以此为计算基础，来计算以下
所要讲述的情况。www.2ic.cn A O ^3O$r @'M Z

铝的相关常量：
比重 : 2.7g/cm3
电阻率 : 2.7uO.cm
导电率 : 61.8% (20oC) `/r5Q \ I1p
比热 : 0.211 cal/oC.g
融点 : 660oC
溶解潜热: 93 cal/g
热传导率:0.487 cal/oC.cm.s芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试
计算：芯片,设
V(体积)=长*宽*高
=100um*0.5um*0.25um
=12.5um3

G(质量)=比重*体积
=2.7g/cm3*V
=33.75E-12g6g
C(卡)=比热*融点*质量
=0.211 cal/oC.g
=0.47E-8
(这里计算，烧断所需的热量,不知道是否正确)
J(焦耳)=卡路里*4.185J/cal
=1.97E-8J

J1(焦耳)=热传导率*温度*长度*时间*4.185J/cal=0.487cal/oC.cm.s*660oC*100um*10ns*4.185J/cal
=0.013E-8J
(J1为在这段时间内所消耗的热量，如何产生和消耗相同即，
J=J1 s=1462ns，也就是说，烧断铝线是瞬间的，一般小于1462ns)
x'Q G.]+t K t
以下假定时间为10ns K:n&H0W3f,N v
W(瓦特)=(J-J1)/s
=J/10ns
=1.96E+3Wyout,package,test,FA,RA,QA N ns L J C
如下，假定一段长100um的铝线，宽0.5um,厚度设定为0.25um b ^!o y G b Y
R(电阻)=电阻率*长度/面积 芯片,设计,版图,
=2.7 uO.cm*100um/(0.25um*0.5um)芯片,设计,版
=21.6欧
(通常metal1 1square=0.06欧，metal2 1square=0.03欧，这样下来电阻值应为 12欧 和 6欧)
Q=Pt=I*IRt
I*I=P/R
=1.96E+3w/21.6O
=0.09E+3A2
I(电流)=9.49A
U(电压)=IR=204.9V
如上计算，即要将这段铝线在10ns内烧断，要有9.49A的电流的流过

最后计算，要保证铝线不被烧断，铝断要有多宽
zr;b w!K!X G O
J=I*IR
(在这里，并没有漏掉时间(t),而是因为在计算时，用卡来计算，1卡是1克水升
高1oC所需的热量，这里隐含了时间)芯片
m&l8@ D.K O B
C*0.4185J/cal=I*I*电阻率*长/(高*宽)
比热*融点*质量*0.4185J/cal=I*I*电阻率*长/(高*宽) M(m u A k j0n)@
比热*融点*比重*长*宽*高= I*I*电阻率*长/(高*宽)
宽*宽=I*I*电阻率/(比热*融点*比重*高*高)宽=I*0.87mm/A
由此可知，线宽取决于流过的电流，因为其它值为常量。3L1C(v Ug#n6Z
如果I=1mA,宽度应为0.87um,相对而言，要更加保险一点，线宽应大于0.87um.(通常线宽 1um 能够承载 0.5mA 电流)

先整理这么多，仅供参考