 何谓导通电阻？MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。 关于导通电阻的电气特性晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。· （集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC） · · MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （RDS(ON)） 计算。 MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（ID)的平方表示。 · · （功率PD）＝（导通电阻RDS(ON) ） x （漏极电流ID）2 · · 此功率将变成热量散发出去。 MOSFET的导通电阻一般在Ω极以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。 ·  如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。 另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。 导通电阻比较一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。下图显示了不同尺寸的小型封装条件下，罗姆最小导通电阻值的比较。 封装尺寸越大可搭载的芯片尺寸就越大，因此导通电阻越小。 罗姆针对各种不同的封装尺寸，备有低导通电阻的产品。 选择更大尺寸的封装，导通电阻会更小。  另： 一、导通电阻是什么意思导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的，而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响，在导通时实际上两端还有一个电阻，这个电阻一般在几欧到几十欧之间，被称为导通电阻。 导通电阻可由二极管；两端电压和导通电流求得。  二、导通电阻和接触电阻的区别导通电阻是指二极管导通后两端电压与导通电流之比，是二极管的重要参数。理想的PN结在正向导通后应该是没有电阻的，而实际的PN结比如二极管受材料、工艺的影响，在导通时实际上两端还有一个电阻，这个电阻一般在几欧到几十欧之间，被称为导通电阻。导通电阻可由二极管；两端电压和导通电流求得。对导体间呈现的电阻称为接触电阻。一般要求接触电阻在10-20 mohm以下。有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。应该指出， 开关的接触电阻是开关在若干次的接触中的所允许的接触电阻的最大值。在电路板上是专指金手指与连接器之接触点，当电流通过时所呈现的电阻之谓。为了减少金属表面氧化物的生成，通常阳性的金手指部份，及连接器的阴性卡夹子皆需镀以金属，以抑抵其“接载电阻”的发生。其他电器品的插头挤入插座中，或导针与其接座间也都有接触电阻存在。  导通电阻是二极管的重要参数，它是指二极管导通后两段电压与导通电流之比。生活中常用的测量导通电阻的方法有测量接地网接地阻抗法、万用表测量法、接地摇表测量法以及专用仪器测量法，接下来汇总一下导通电阻值的标准范围： 1、独立的直流/交流工作导通电阻值和独立的安全保护导通电阻值应该等于小于4欧。 2、独立的防雷保护导通电阻值应该等于小于10欧。 3、防静电的导通电阻值一般都要求等于小于100欧。 4、共用导通体不大于导通电阻1欧即可。 |
