 MOS参数1. 阈值电压Vt第一种测试方法是最大电导测量，也是线性外推法：a. 对于NMOS，首先设定Vd=0.1V和Vb=Vs=0V，然后线性扫描Vg从0V到VDD或者VDDA(VDD为低压器件的最大工作电压，VDDA为中压器件的最大工作电压。)，测得最大电导时Vg的值，求该点的斜率，通过该点利用斜率作斜线相交于x轴得到数值Vg(x)，那么Vt=Vg(x)-0.5Vd。 b. 对于PMOS，首先设定Vd=-0.1V和Vb=Vs=0V，然后线性扫描Vg从0V到-VDD或者-VDDA，测得最大电导时Vg的值，求该点的斜率，通过该点利用斜率作斜线相交于x轴得到数值Vg(x)，那么Vt=Vg(x)0.5Vd 。  第二种方法是利用电流常数测阈值电压： a. 对于NMOS，首先设定Vd=0.1V和Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg从OV到VDD或者VDDA，测得Vg在I/W=0.1uA/um时的值，那么Vt=Vg。 b. 对于PMOS，首先设定Vd=-0.1V和Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg从OV到-VDD或者-VDDA，测得Vg在I/W=0.1uA/um时的值，那么Vt=Vg.  阈值电压的影响因素： a. 阱离子注入异常：这个在inline中一般没有监控参数； b.离子注入损伤在退火过程中没有激活:这个在inline中一般没有监控参数； c.AA或多品硅栅刻蚀后的尺寸异常：这个主要关注AA AEI CD POLY CD以及MG等相关参数； d.栅氧化层的厚度异常导致：这个关注DG相关的工艺参数； e. 对于NMOS，关注SMT loop 相关工艺参数；PMOS，应该还要关注SiGe loop相关工艺参数。 2.饱和电流Isat 这个目的在于测试MOS工作在饱和区，也就是刚刚沟道发生夹断的电流大小。 a. NMOS饱和电流Idsat，设定Vd=Vg=VDD或者VDDA，Vs=Vb=0V，测量电流Id，那么Idsat=Id/W； b. PMOS饱和电流Idsat，设定Vd=Vg=-VDD或者-VDDA，Vs=Vb=0V，测量电流Id，那么Idsat=Id/W.  饱和电流的影响因素： a. 阱离子注入异常导致; b. N+或者P+离子注入异常; c. LDD离子注入异常; d. 离子注入损伤在退火过程中没有激活; e. AA或多晶硅栅刻蚀后的尺寸异常; f. 栅氧化层的厚度异常； g. 对于NMOS，关注SMT loop 相关工艺参数；PMOS，应该还要关注SiGe loop相关工艺参数。 3.漏电流Ioff 测试在MOS管没有开启时，沟道中通过电流 a. NMOS漏电流Ioff，首先设定Vd=1.1VDD或者1.1VDDA，Vg=Vs=Vb=0V，测量电流Id，那么Ioff-=Id/W; b. PMOS漏电流Ioff，首先设定Vd=-1.1VDD或者-1.1VDDA，Vg=Vs=Vb=0V，测量电流Id，那么Ioff-=Id/W.  漏电流的影响因素： a. 阱离子注入异常; b. LDD离子注入异常; c. AA刻蚀损伤在退火过程中没有消除， d. 接触孔刻蚀异常。 4. 击穿电压BVD测试 测试在截止区时，源漏之间电流突然增大，一般达到微安量级时的电压。 a. NMOS击穿电压BVD，首先设定Vg=Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vd, 从0V到12V，得到Vd在Id/W=0.1uA/um时的值，该点的电压值就是击穿申压BVD; b. PMOS击穿电压BVD，首先设定Vg=Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vd, 从0V到-12V，得到Vd在Id/W=0.1uA/um时的值，该点的电压值就是击穿申压BVD。  击穿电压的影响因素： a. 阱离子注入异常; b. LDD离子注入异常; c. 离子注入损伤在退火过程中没有激活: d. 多品硅栅刻蚀后的尺寸异常; e. 接触孔刻蚀异常。 5. 衬底电流Isub测试 在理想的MOSFET模型中，我们认为栅极控制沟道，而源、漏和衬底之间是绝对绝缘的。但在实际工作中，特别是当晶体管处于饱和区时，会有一个非零的电流从沟道流入衬底。这个电流就是衬底电流。它对电路的主要危害是引起可靠性退化（热载流子效应）、逻辑错误和功耗增加。 a. 测量NMOS衬底电流，首先设定Vd=VDD或者VDDA，Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg从0V到VDD或者VDDA，测得最大衬底电流，那么Isub=Ib/W; b. 测量PMOS衬底电流.，首先设定Vd=VDD或者VDDA，Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg从0V到-VDD或者-VDDA，测得最大衬底电流，那么Isub=Ib/W。  衬底电流的影响因素： a. 阱离子注入异常; b. LDD离子注入异常; c. 离子注入损伤在退火过程中没有激活. 栅氧化层参数1.栅氧电容Cgoxa. 测量NMOS栅氧化层电容Cox，首先在栅电容的一端多品硅栅上加载AC100KHz(VDD或者VDDA)扫描电压，另一端PW衬底接地，来测试电容C，Cox=C/Area。 b. 测量PMOS栅氧化层电容Cox。，首先在栅电容的一端NW衬底上加载AC100KHz(VDD或者VDDA)扫描电压，另一端栅极接地，来测试电容C，Cox=C/Area。  栅氧电容影响因素： a. 阱离子注入异常; b. 离子注入损伤在退火过程中没有激活; c. 栅氧化层的厚度异常:这个厚度主要和DG工艺相关。 2.电容击穿电压BVgox a. 测量NMOS栅氧化层击穿电压BVgox，首先在栅电容的一端栅上加载DC扫描电压，Vg从0V到12V,另一端PW衬底接地，测试电流Ig，得到Vg在Ig/Area=100pA/um2时的值，BVgox=Vg,就是击穿电压。 b. 测量PMOS栅氧化层击穿电压BVgox，首先在栅电容的一端衬底上加载DC扫描电压，Vb从0V到12V，另一端栅接地测试电流Ib，得到Vb在Ib/Area=100pA/um2时的值，BVgox=Vb就是击穿电压。  影响电容BVgox的因素与影响电容Cox |
