wafer 测试经验谈

ictest

一般来说我们做Wafer Test的时候不做太大的电流（10A以上）测试，因为探针的容许电流不是很高，即使是比较好的悬臂式探针往往也不会超过1A,但是对于Automative的芯片，可能需要在Wafer Test时稍微测试一下大电流（一般不超多100A），这时候就需要仔细处理探针的连接问题
一个简单的例子：
我们需要在4A电流下测试，每根探针容许电流为1A：
测试电压压降为1V考虑到限流的作用，经计算我们选R/4=1Ohm电阻限流，请参考单电阻并联模式
看起来是没有问题的，但是实际上呢？
由于Wafer Probel探针的压力不均衡，会使探针与Wafer表面存在一个接触电阻，经验值大约在10m Ohm - 1Ohm之间。假设其中3根针是500mOhm，一根是20mOhm6 I, L/ J  K. X/ j4 p3 O
那么总共电阻为：(20m*500m/3)/(500m/3+20m)=18m Ohm7 }2 q  I  g! _
此时通过20mOhm那根针的电流为4×18/20=3.6A!!
功率高达3.6×3.6×20m=0.26W，肯定是针毁Wafer亡了
所以我们必须使用多电阻并联模式才能避免这种事故。2 Z5 b' d; g |- T: x7 G# i2 X7 m
参考多电阻并联模式，在这种情况下我们使用4支R=4Ohm电阻分别接到4跟针上，即使再次出现其中3根针是500mOhm，一根是20mOhm的情况
每根针的电流变化也仅仅在0.92-1.08A之间，这样就很好的保护了探针与Wafer大电流、高电压测试是Wafer测试中的难点，其中很多涉及的经验的东西，所以在动手设计Probe Card之前切记多多考虑7 Z1 m! d" U- u

evenliu

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   We are well established as a manufacture of micrometer test probe (wire probe Needle ) and Tungsten probe (w and Rw) and probe pin for semiconductor and LCD filed, the probe wire diameter spec is from 20 to 500 um,Tip:0.1~5um and we used the way of precision grounding for get high and excellent quality, and we are closely connected with Nidec-Read \Sankyo\ KLA-Tencor Corporation.and  in our country. We are looking forward to pleasant business relations with you.

 

                             ICCPT SHENZHEN CHINA CO.LTD

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ictes

 不错的经验之谈

altra

值得借鉴

半仙

 高压测试...这个还是不错的...