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标题: 并行测试技术 [打印本页]

作者: zhanghb 时间: 2010-9-20 11:09
标题: 并行测试技术
请教：

在进行圆片多SITE 并行测试过程中，常常出现测试不稳定现象，如1个SITE 正常测试，另一个SITE接触有问题，还出现低良率，不知是探针的问题，还是ATE 问题，还是测试程序需完善？

作者: admin 时间: 2010-9-20 14:36

如果晶圆PAD的针痕都正常，open-short测试也都正常，那应该不是探针的问题，多个site同测要注意把每个site的地线也分开，不知你用的什么测试机，测试的什么类型的芯片，不同类型的芯片对探针的接触电阻的要求也不同，需要具体问题具体分析

作者: athena_angel 时间: 2010-10-4 12:21
我现在遇到的情况是测试的时候经常要清针，针痕又很好，测个2000次左右就需要清针了。郁闷

作者: admin 时间: 2010-10-9 10:05

这可能是和wafer表明不干净有关，另外，如果超净车间不好，也会有此现象

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