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标题:
IC测试电路
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作者:
TESTSPEC
时间:
2010-8-2 10:57
标题:
IC测试电路
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[attach]19[/attach]
谁给解析下这两个电路。
作者:
admin
时间:
2010-8-2 13:33
这两个电路颇有意思,能够很清楚的分析出他们,说明对运放已经三极管的特性都掌握的比较好,是两道不错的IC测试面试题,欢迎大家共同探讨!
在此先抛块砖头:
1、对于第一个电路,首先要了解open-short测试原理,其实就是测试各引脚对地(有时对电源也测)ESD保护二极管,图中general所示,当short时说明对地二极管短路了,像导线一样,无压降和电阻,当open时,二极管开路,电阻和压降都很大。而且一般测试时设置的电流Ios为-100ua到-500ua之间,图中我们根据理想运放的特性可以计算出:当R都为10K时,第一个运放的输入VIN为-1V时,所设置的Ios=-100UA,而第二个运放的输出VO为2倍的Vos,所以,当我们设定Vos的spec为-0.3~-0.8V时,只要测试VO的电压是不是在-0.6~1.6V之间就可以了
2、第二个电路实际是个过流保护电路,当10 Ohm电阻上电流大于70mA时(也就是电阻上压降大于0.7V时,硅管导通电压一般在0.7V左右),靠近运放的三极管开始导通,这样就可以保护另外一个三极管不被过大的电流烧坏。
在下愚见,不正确的地方欢迎指出
[此贴子已经被作者于2010-8-2 14:02:02编辑过]
作者:
fstufd32
时间:
2011-4-23 08:39
非常感谢楼主的分享。。
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作者:
olliezhou
时间:
2012-10-16 15:28
分析的正确,我也设计过这种电路
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